LF-04 an der Tallinn University of Technology

Karteikarten und Zusammenfassungen für LF-04 an der Tallinn University of Technology

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Floating Gate Technik


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NOR Flash-Speicherzellen 

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NAND-Flash-Speicherzellen 

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SLC

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MLC

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TLC

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TLC Vorteile-

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TLC Nachteile:-

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WEAR-Leveling

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3D V-NAND:

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Bad Block Management / Defekte Management :

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Laser Klassen


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LF-04

Floating Gate Technik


-speichert  Ladung wie  Kondensator

-Zum Lesen  Spannung an  Gate(G)  und strom  zwischen Drain(D) und Source(S) gemessen

-Der Zustand gleich Stromstärke

LF-04

NOR Flash-Speicherzellen 
-parallel verschaltet
-wahlfreier und direkter Zugriff
-Einsatz in Microcontrollern,  z.B.  BIOS

LF-04

NAND-Flash-Speicherzellen 
- seriell verschaltet
-lesen und schreiben nur in blöcken möglich
-geringe Anzahl an Datenleitungen,
- wenig Platzbedarf
-Einsatz in Speicherkarten, USB Sticks,SSDs
-hohe Speicherdichten
-geringe Kosten,
-geringe stromverbrauch,
-schnelle schreibgeschwindigkeit
- unterschiedliche Spannungsniveaus 

LF-04

SLC
(single level cell) :
- 1 bit pro speicherzelle (0,1), 
-ca 100000 schreibzyklen

LF-04

MLC
(multi): 
-2 bit pro speicherzelle (00,01,10,11), 
-mehrere spannungsniveaus 
-langsameres lesen und schreiben, 
-mehr fehler korrekturmechanismen, 
-ca 3000 bis 10000 schreibzyklen , z.b. SSDs

LF-04

TLC
(triple) :
- 3 bit pro speicherzelle (ooo,001,...110,111), 
- hohe qualität 
- .ca 1000 schreibvorgänge. 

z.B. bei 
-SSDs,
-USB Sticks ,
-Speicherkarten

LF-04

TLC Vorteile-

-keine bewegliche Teile
-geräuschlos,
-unempfindlich gegen Erschütterungen
- geringer Energieverbrauch  
-geringe Wärmeentwicklung
-sehr kurze Zugriffszeiten
-Konstante Lese- und Schr.-geschwindigkeit

LF-04

TLC Nachteile:-

-begrenzte Schr. und Lesevorgänge (Endurance)
-begrenzte Dauer der Datenhaltung (Retention)

Endurance :
--max. Anzahl von lösch und speicherzyklen
--hohe spannungen (10 V- 18V) für programmier und lösch operationen schädigen die Zellen

Retention:
--Geringere Spannungen haben weniger Schäden zur Folge, allerdings muss 
die Isolation Struktur möglichst dünn ausgeführt werden , was negative Auswirkungen auf die Dauer der Datenhaltung hat

LF-04

WEAR-Leveling

- Controller verteilt Schreibzugriffe über alle Speicherzellen
-Selten veränderte Daten werden  auf andere Zellen umgeschichtet um an frische Zellen zu kommen
-Alle Speicherzellen werden regelmäßig aufgefrischt um einen Spannungsverlust zu verhindern

LF-04

3D V-NAND:

- Speicherzellen  vertikal gestapelt , bis zu 96 stück
-größere Zellstruktur   
-sinkende Fehlerrate
-höhere Lebensdauer ,
- schnellere Zugriffszeiten

LF-04

Bad Block Management / Defekte Management :

-Überwacht die Speicherzellen(SZ) auf abnutzung
-wird eine SZ zu stark abgenutz , wird das ganze Zellenblock(ZB) als fehlerhaft markiert und durch einen ZB aus der Reserve ersetzt.

LF-04

Laser Klassen


-1 --- Ungefährliche 
-1M - ungefährlich, ohne optischen Instrumente (Lupe,..) 

-2 - bei kurzzeitiger Bestrahlungsdauer(bis 0,25s) für das Auge ungefährlich

-2M - Wie Klasse 2 ungefährlich ohne optischen Instrumente

-3R -  gefährlich für das Auge

-3B - gefährlich für das Auge und die Haut

-4 - sehr gefährlich für Auge und Haut. Brand und Explosions Gefahr


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