AVT an der Hochschule Hamm-Lippstadt

Karteikarten und Zusammenfassungen für AVT an der Hochschule Hamm-Lippstadt

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Beispielhafte Karteikarten für AVT an der Hochschule Hamm-Lippstadt auf StudySmarter:

Anforderungen an AVT: 

- Prozessergebnis

- Prozess

- Leistungselektronik

- Mobilkommunikation 

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Eigenschaften der Chip-Substrat-Verbindung: 

Kleben? Löten? Sintern?

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 Ein Metallisierungssystem besteht aus einer Ti/Ni/Ag Schichtenfolge. Das Leitermetall Ag soll gegen Cu getauscht werden, um für einen Cu-Bondprozess optimale Anbindung zu erlauben. Obwohl die Betriebstemperaturen gleich bleiben - welche Risiken müssen abgeklärt werden?

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 Formel für Wachstum intermetallischer Phasen ?

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Formel für Wärmeausdehnung?

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 Front End - Back End?

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Mit welchen Methoden kann der Auftrag eines Klebers erfolgen?

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SMT, SMD?

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 THT?

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Von welchen größen ist die mittlere Eindringtiefe bei der Diffusion abhängig? Welchen Einfluss hat die Temperatur?

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Warum sind die Eigengschaften der Rückseitenmetallisierung für Bauelemente mit nachfolgender Rückseitenmontage von besonderer Bedeutung für den AVT- Entwickler bzw. - Prozessingenieur?

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Warum sind intermetallische Phasen in der AVT von besonderer Bedeutung?

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Beispielhafte Karteikarten für AVT an der Hochschule Hamm-Lippstadt auf StudySmarter:

AVT

Anforderungen an AVT: 

- Prozessergebnis

- Prozess

- Leistungselektronik

- Mobilkommunikation 

 Prozessergebnis: elektrische Funktionalität, Temperatur(wechsel)beständig, Feuchtebeständig, Materialkosten


Prozess: stabile Fertigungsprozesse, Prüfbarkeit der Ergebnisse, hoher Duchsatz, Kosten, wenig Ausschuss


Leistungselektronik: hohe Ströme, hohne Verlustleistungen, große Durchmesser der Zuleitungen, Wärmeabfuhr, Zuverlässigkeit


Mobilkommunikation: geringer Bauraum, hohe Störungssicherheit, große Fertigungsvolumina

AVT

Eigenschaften der Chip-Substrat-Verbindung: 

Kleben? Löten? Sintern?

- Anbindung mittels Metallgefüllter Klebstoffe

- kostengünstig

- für Temperaturen <125°C

- moderate Anforderungen an Zuverlässigkeit, thermische- und elektrische Belastbarkeit


Löten: 

- Anbindung über niedrig schmelzende Metalllegierung 

- Anbindung über intermetallische Phasen 

- Temperaturbelastungen bis ca. 150°C

- erhöhte Zuverlässigkeitsanforderungen 


Sintern: 

- Anbindung über Versinterung von mikroskaligen Silberpartikeln bei gleichzeitigen Anbindung der Fügepartner

- Temperaturbelastungen >150°C

- zuverlässig bei thermischer- und elektrischer Leitfähigkeit

AVT

 Ein Metallisierungssystem besteht aus einer Ti/Ni/Ag Schichtenfolge. Das Leitermetall Ag soll gegen Cu getauscht werden, um für einen Cu-Bondprozess optimale Anbindung zu erlauben. Obwohl die Betriebstemperaturen gleich bleiben - welche Risiken müssen abgeklärt werden?

ist das Metallisierungssystem für den angestrebten Temperaturbereich stabil? 

- müssen gegebenfalls kritische Bereche mit Diffusionsbarrieren getrennt werden? 

AVT

 Formel für Wachstum intermetallischer Phasen ?

d=m*Wurzel(t)


m=mo * e ^ - (Q/(k*T))


d= Dicke

m=Masse

t=Zeit

AVT

Formel für Wärmeausdehnung?

delta L = alpha * Lo *delta T


alpha = 10^-6 /K


Wärmeausdehnung ist das Ergebnis eines zunehmenden Atomabstands bei steigender Temperatur 

AVT

 Front End - Back End?

 Front-End: Herstellung des Halbleiter Chips

Back-End: Weiterverarbeitung der Chips zu Bauelementen

AVT

Mit welchen Methoden kann der Auftrag eines Klebers erfolgen?

Siebdruck

Dispensen

Pin- Transfer

AVT

SMT, SMD?

Surface Mount Technology: 


- Bauelemente oder integrierte Schaltungen werden mittels Oberflächenmontage auf Schaltungsträger kombiniert

- Abstände der Anschlüsse 1,27mm bzw. ein vielfaches davon 

- Verdrahtung durch Leiterbahnen, Anbindung der BE durch Löt- und/ober Klebverbindungen 


Vorteile: höherer Integrationsgrad, geringere Herstellkosten

Nachteile: nicht geeignet für kleinserien -> manueller Aufbau ist aufwändig

AVT

 THT?

Through Hole Technology: 


- Bauelemente oder integriete Schaltungen werden mittels Duchsteckmontage auf Schaltungsträger kombiniert

- Abstände der Anschlussbohrungen 2,54mm

- Verdrahtung der BE mittels Leiterbahnen, Anbindung mittels Lötverbindung


Vorteile: hohe mech. Robustheit, einfacher Aufbau, 

Nachteile: begrenzter Integrationsgrad, höhere Produktionskosten

AVT

Von welchen größen ist die mittlere Eindringtiefe bei der Diffusion abhängig? Welchen Einfluss hat die Temperatur?

mittlere Eindringtiefe [s], die ein Stoff A in einem Stoff B in einer Zeit [t] zurücklegt


s= 2* Wurzel(D*t)

D=Do*e^(-W/(k*T)

Do= Stoffkonstandte

W= Aktivierungsenergie zur Wanderung von Teilchen


mittlere Eindringtiefe ist vom Diffusionskoeffizienten [D] und von der Zeit [t] abhängig

die Temperatur hat einfluss auf den Diffusionskoeffizienten. Bei steigender Temperatur 

die mittlere Eindringtiefe. 

AVT

Warum sind die Eigengschaften der Rückseitenmetallisierung für Bauelemente mit nachfolgender Rückseitenmontage von besonderer Bedeutung für den AVT- Entwickler bzw. - Prozessingenieur?

 Rückseitenmetallisierung:  

- muss für nachfolgende Montageprozesse (Kleben, Löten, Sintern) geeignet      sein. 


- muss nachfolgende Temperaturbelastungen standhalten 

-> ausreichende Diffusionsbarrieren gewährleisten


- muss rein sein (Verunreinigungen können Lunkerbildung beim Löten bzw. mangelde Haftung beim Kleben verursachen)


AVT

Warum sind intermetallische Phasen in der AVT von besonderer Bedeutung?

- Bei der Verbindungsbildung (z.B. beim Löten)

- Als Zuverlässigkeitsrisiko (Volumensänderung; spröde oder korrosive Phasen) 

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