WT at Ostbayerische Technische Hochschule Regensburg

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Si und Ge haben beide 4 Elektronen (Valenzelektronen) in den äußeren, nicht abgeschlossenen Schalen.

Was unterscheidet dann Si und Ge?

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Die 4 Außenelektronen von Si und Ge werden auch Valenzelektronen genannt.

Mit welcher Wahrscheinlichkeit findet man sie an einem bestimmten Ort in der jeweiligen Schale?

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Welches Element kann man NICHT für n- Dotierung verwenden?

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Aus welcher Hauptgruppe kommt ein Element, mit dem man eine p-Dotierung erreichen kann?

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Silizium dotiert mit 10^15 1 / cm³ Arsen.

Was sind die Majoritätsträger?


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Die Elektronenkonzentration in einem Halbleiter nimmt in positiver x- Richtung zu.

In welcher Richtung geht die Diffusion der Elektronen?

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Warum ist die Aktivierung von Donatoren btw. Akzeptoren im Halbleiter schon mit relativ geringer Energie möglich?

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Welche Bauelemente beinhalten 2 pn-Übergänge?

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Was beschreibt die Poisson-Gleichung?

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Die elektrische Spannung ist eine ...

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Was wird bei der Schottky'schen Parabelnäherung für den pn-Übergang vernachlässigt?

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Eine externe Spannung U > 0 wirkt ...

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Exemplary flashcards for WT at the Ostbayerische Technische Hochschule Regensburg on StudySmarter:

WT

Si und Ge haben beide 4 Elektronen (Valenzelektronen) in den äußeren, nicht abgeschlossenen Schalen.

Was unterscheidet dann Si und Ge?

Ge hat zwei Hauptschalen mehr als Si

WT

Die 4 Außenelektronen von Si und Ge werden auch Valenzelektronen genannt.

Mit welcher Wahrscheinlichkeit findet man sie an einem bestimmten Ort in der jeweiligen Schale?

Die Wahrscheinlichkeit des Aufenthalts ist auf gewisse Zonnen (Vorzugsrichtungen) konzentriert

WT

Welches Element kann man NICHT für n- Dotierung verwenden?

Bor (B)

WT

Aus welcher Hauptgruppe kommt ein Element, mit dem man eine p-Dotierung erreichen kann?

Hauptgruppe 3

WT

Silizium dotiert mit 10^15 1 / cm³ Arsen.

Was sind die Majoritätsträger?


Elektronen

WT

Die Elektronenkonzentration in einem Halbleiter nimmt in positiver x- Richtung zu.

In welcher Richtung geht die Diffusion der Elektronen?

negativer x - Richtung

WT

Warum ist die Aktivierung von Donatoren btw. Akzeptoren im Halbleiter schon mit relativ geringer Energie möglich?

Weil Donator- und Akzeptorniveaus nahe an den Bandkanten liegen.

WT

Welche Bauelemente beinhalten 2 pn-Übergänge?

  • alle Feldeffektransistoren
  • hochwertige Widerstände
  • Dioden


WT

Was beschreibt die Poisson-Gleichung?

Die Anhängigkeit des elektrischen Potentials von der Ladungsdichte rho

WT

Die elektrische Spannung ist eine ...

Potentialdifferenz.

WT

Was wird bei der Schottky'schen Parabelnäherung für den pn-Übergang vernachlässigt?

Die Dichte der Akzeptoren in der Raumladungszone.

WT

Eine externe Spannung U > 0 wirkt ...

dem internen elektrischen Feld in der Raumladungszone entgegen.

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